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Product Center當前位置:首頁產(chǎn)品中心萬用表&功率計&測溫儀5.泰克2602B泰克2602B數(shù)字源表
泰克2602B數(shù)字源表2600B 系列 SourceMeter SMU 儀器Keithley 2600B 系列系統(tǒng) SMU 儀器是業(yè)界標準電流-電壓源和測量解決方案,適用于高度自動化生產(chǎn)測試應用。 雙通道和單通道型號都緊密集成一個精密電源、真正電流源、數(shù)字萬用表和具有脈沖生成功能的電子負載。 另外,TSP® 技術(shù)可運行完整測試程序,適用于自動化系統(tǒng)應用,TSP-鏈路®技術(shù)允許菊花式鏈接多
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相關(guān)文章品牌 | 泰克 | 產(chǎn)地類別 | 進口 |
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應用領(lǐng)域 | 電子 |
泰克2602B數(shù)字源表
2600B系列系統(tǒng)數(shù)字源表源測量單元(SMU)儀表是業(yè)界yi流的電流/電壓源 與測量解決方案,它是利用吉時利第三代源測量單元(SMU)技術(shù)建造的。2600B 系列產(chǎn)品包括單通道和雙通道型號,集成了高精密電源、真正電流源、6位半數(shù)字多用表(DMM)、任意波形發(fā)生器、脈沖發(fā)生器以及電子負載等功能——這些功能都在一個高度集成的儀器機箱內(nèi)。這是一個功能強大的解決方案,大大提高了從臺式 I/V特性分析道高度自動化生產(chǎn)測試等各種應用中的測試效率。對于臺式應用,2600B系列數(shù)字源表內(nèi)置基于Java的測試軟件,支持即插即用I/V測試,可以通過世界各地任何計算機瀏覽器運行。對于自動化系統(tǒng)應用,2600B系列數(shù)字源表的測試腳本處理器(TSP),可以運行儀器內(nèi)存儲的完整測試程序,實現(xiàn)業(yè)界*的吞吐量。在更大型的多通道應用中,吉時利的TSP-Link技術(shù)與TSP協(xié)同工作,實現(xiàn)了高度、SMU-per-pin并行測試。由于2600B系列數(shù)字源表源測量單元(SMU)儀表具有不需要主機的、*隔離的通道,因此,可以根據(jù)測試應用需求的進展,很容易進行重新配置和重新部署。
基于Java的即插即用I/V測試軟件
2600B系列數(shù)字源表是唯yi內(nèi)置基于Java測試軟件的源測量單元(SMU)儀表, 支持真正的即插即用I/V特性分析,可以通過世界各地任何計算機瀏覽器運行。這個*功能提高了研發(fā)、教育和QA/FA等各種應用的測試效率。只需通過附送的 LAN電纜,將2600B數(shù)字源表連接至互聯(lián)網(wǎng),打開瀏覽器,輸入2600B的IP低至,即可開始測試。測試結(jié)果可以下載之電子數(shù)據(jù)表(如Excel),供進一步的分析和格式化,或者導入其他文檔或演示文稿。
采用TSP技術(shù),提供*的吞吐量,適合自動測試
對于需要zui高自動化和吞吐量級別的測試應用來說,2600B數(shù)字源表的TSP技術(shù)提供了業(yè)界*的性能。TSP技術(shù)遠遠超越傳統(tǒng)的測試命令序列……它*嵌入,然后,在源測量單元(SMU)儀器內(nèi)部執(zhí)行完整的測試程序。這實際上避免了所 有耗時的總線-PC控制器之間的通信,因此,大幅縮短整個測試時間。
TSP技術(shù)將執(zhí)行來自2600B系列數(shù)字源表內(nèi)非易失性存儲的完整測試程序。
通過TSP-Link技術(shù),實現(xiàn)SMU-Per-Pin并行測試
TSP-Link是通道擴展總線,支持多 個2600B系列數(shù)字源表互連,成為一個單 一、嚴格同步的多通道系統(tǒng)。2600B的 TSP-Link技術(shù)與其TSP技術(shù)協(xié)同工作,支 持高速、SMU-per-pin并行測試。與大型 自動測試設(shè)備系統(tǒng)等其他高速解決方案 不同的是,2600B在無需主機成本或負擔 情況下,實現(xiàn)了并行測試性能?;赥SP -Link技術(shù)的系統(tǒng),還支持出眾的靈活性, 可以根據(jù)測試需求的變化,迅速而容易 地對系統(tǒng)進行重新配置。
在TSP-Link系統(tǒng)中,所有通道的同步都控制在 500ns以內(nèi)。
2400型軟件仿真
2600B系列數(shù)字源表,與為吉時利2400 型數(shù)字源表源測量單元(SMU)儀表開發(fā)的測試代碼兼容。這使得基于2400型數(shù)字源 表的測試系統(tǒng)更容易地升級至2600B系列, 并使測試速度提高高達80%。此外,它還提供了從SCPI編程轉(zhuǎn)到吉時利TSP技術(shù)的過渡路徑,實施后,可以進一步縮短測試時間。
為了全面支持遺留的測試系統(tǒng),在這個模式下,還*支持2400型源存儲清單測試序列。
第三代SMU設(shè)計,確保實現(xiàn)更快的測試時間
在早期2600系列儀器成熟的架構(gòu)基礎(chǔ) 上,2600B系列的源測量單元(SMU) 儀表設(shè)計從幾個方面提高了測試速度。例 如,早期的設(shè)計采用的是并聯(lián)電流量程調(diào) 節(jié)結(jié)構(gòu),而2600 B系列采用了已申請專li 的串聯(lián)量程調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)具有更快 更平滑的量程變換過程和穩(wěn)定速度更快的 輸出。
SMU-Per-Pin并行測試采用TSP與TSP-Link技術(shù),提高測試吞吐量,并降低測試成本。
2600B系列數(shù)字源表源測量單元 (SMU)儀表設(shè)計支持對各種負載使用 兩種操作模式。在普通模式下,源測 量單元(SMU)儀表為大吞吐量提供 高帶寬性能。在高電容模式下,源測 量單元(SMU)儀表使用較慢的帶寬, 為較高電容負載提供魯棒的性能。
簡化半導體元件測試、驗證與分析
可選配的ACS Basic版本軟件實現(xiàn)了客戶效率的大化,使客戶可以在開發(fā)、質(zhì)量認證或故障分析中,對封裝器件進行特性分析。主要特性包括:
欲了解有關(guān)ACS Basic版本軟件的更多信息,參見ACS Basic版本數(shù)據(jù)表。
強大的軟件工具
除了基于Java的嵌入式即插即用軟 件以及可選配的ACS Basic版本軟件,免 費Test Script Builder軟件工具,可以 幫助用戶創(chuàng)建、修改、調(diào)試和存儲TSP測 試腳本。圖1給出2600B系列數(shù)字源表軟 件工具的主要特性。
2600B系列產(chǎn)品3個型號的雙通道 臺式數(shù)字源表,提供業(yè)界*的價值 和性能
如果想調(diào)試設(shè)計問題,首先必須知道存在問題。每個設(shè)計工程師都要用大量的時間查找電路中的問題,如果沒有合適的調(diào)試工具,這項任務耗時長、非常麻煩。
為了滿足那些不需要yi流系統(tǒng)級自 動化能力的應用需求,吉時利對2600B系 列數(shù)字源表進行了擴展,推出3中的 高性價比臺式型號產(chǎn)品——2604B、2614B和 2634B。這些型號產(chǎn)品性能分別與2602B、 2612B和2636B相似,但它們不包括TSP Link、接觸檢查以及數(shù)字I/O能力。
完整的自動化系統(tǒng)解決方案
吉時利S500綜合測試系統(tǒng)是基于儀 器的、可高度配置的系統(tǒng),適合器件、 晶圓或晶圓盒的半導體特性分析。S500 綜合測試系統(tǒng)基于已被證明的2600系列 系統(tǒng)數(shù)字源表源測量單元(SMU),提供 創(chuàng)新的測量特性與系統(tǒng)靈活性,可以根據(jù)需求進行升級。其*的測量能力, 再加上強大而靈活的自動特性分析套 件(ACS)軟件,為客戶提供全面的應用 范圍和特性,這是市場上競爭產(chǎn)品所不具備的。
表1 2600B軟件工具
特征/功能 | ACS Basic版本 | 基于Java即插即用軟件 | Test Script Builder (TSB) |
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說明 | 半導體特性分析軟件, 用于元件測試、驗證 與分析 | 迅速啟動的、基于Java即插即用軟件工具,支持快速和容易的I-V測試,主要用于臺式和實驗室用戶 | 為TSP儀器定制的腳本編寫工具 |
支持的硬件 | 2400系列、2600B系列、4200-SCS | 2600B系列 | 2600B系列,3700系列 |
支持的總線 | GPIB, LAN/LXI | LAN / LXI | GPIB, RS-232,LAN/LXI, USB |
功能 | 基于向?qū)У闹庇X圖形用戶接口(GUI),豐富的測試測試庫和曲線跟蹤能力 | 直線/對數(shù)掃描、脈沖、自定義掃描、單點源測量注意:可使用2600B的新API實現(xiàn)精確定時和通道同步 | 總體靈活的自定義腳本,功能齊全的調(diào)試器 |
數(shù)據(jù)管理 | 公式工具,包括多種數(shù)學函數(shù) | .csv文件導出 | 用戶定義 |
安裝 | 選購 | 不需要。內(nèi)嵌在儀表中 | 免費下載或CD提供,安裝在PC上 |
當您需要對封裝器件數(shù)據(jù)進行快速采集時,通過 ACS Basic版本軟件基于相當?shù)挠脩艚缑?,很容?發(fā)現(xiàn)和運行期望的測試,就像常見的 FET曲線跟 蹤測試一樣。
ACS Basic版本軟件具有靈活的軟件體系結(jié)構(gòu),允許為 系統(tǒng)配置多種控制器與測試夾具,并可以根據(jù)應用需要, 配置所需的數(shù)字源表數(shù)量。
典型應用
各種器件的I-V功能測試和特征分析,包括:
2604B/2614B型儀表的背板
(單通道2601B, 2611B, 2635B沒有給出)。
2636B型儀表的背板
在第yi和第三象限,2600B系列儀器用作信號源,向負載提供 電源。在第二和第四象限,2600B系列儀器用作信號宿,內(nèi)部 消耗功率。
2601B、2602B和2604B的I-V測試功能
2611B、2612B和2614B的I-V 測試功能
2634B、2635B和2636B的I-V 測試功能
泰克2602B數(shù)字源表
技術(shù)指標適用的條件
本文介紹了2601B、2602B和2604B系統(tǒng)數(shù)字源表的技術(shù)指標和補充說明。這些技術(shù) 指標是測試2601B、2602B和2604B依據(jù)的標準。在出廠時,2601B、2602B和2604B 符合這些技術(shù)指標。補充說明和典型值不在質(zhì)保范圍內(nèi),適用于23°C,僅用作有 效信息。
精確技術(shù)指標適用于普通模式和高電容模式。
這些源和測量精度在下列條件下適用于數(shù)字源表CHANNEL A(2601B、2602B和2604B)或數(shù)字源表CHANNEL B(2602B和2604B)終端。
1. 23°C ±5°C,相對濕度<70%
2. 經(jīng)過2小時的預熱
3. 普通速度(1 NPLC)
4. 啟用A/D自動調(diào)零
5. 遠端檢測操作或適當?shù)臍w零局部操作
6. 校準周期=1年
源技術(shù)指標
電壓源技術(shù)指標
電壓編程精度1
量程 | 編程分辨率 | 精度(1年) 23°C ±5°C ±(% rdg. + 伏特數(shù)) | 典型噪聲 (峰-峰值) 0.1Hz–10Hz |
---|---|---|---|
100 mV | 5 μV | 0.02% + 250 μV | 20 μV |
1 V | 50 μV | 0.02% + 400 μV | 50 μV |
6 V | 50 μV | 0.02% + 1.8 mV | 100 μV |
40 V | 500 μV | 0.02% + 12 mV | 500 μV |
溫度系數(shù) (0°–18°C & 28°–50°C)2:±(0.15 × 精度指標)/°C。
僅適用于普通模式,不適用于高電容模式。
大輸出功率和源/宿極限3:每通道大40.4W。±40.4V@ ±1.0A,±6.06V@ ±3.0A,四項限源或宿操作。
電壓調(diào)節(jié):線:量程的 0.01%。負載:±(量程的0.01% + 100μV)。
噪聲:10Hz~20MHz:<20mV 峰-峰值(典型值),<3mV RMS(典型值),6V量程。
電流極限/柔度4: 單值設(shè)置雙極電流極限(柔度)。小值10nA。精度與電流源 相同。
過沖:典型值<±(0.1% + 10mV)。步進值=量程的10%~90%,電阻負載,大電流 極限/柔度。
保護偏移電壓:典型值 < 4mV。電流 < 10mA。
電流源技術(shù)指標
電流編程精度
量程 | 編程分辨率 | 精度(1年) 23°C ±5°C ±(% rdg. + 安培數(shù)) | 典型噪聲 (峰-峰值) 0.1Hz–10Hz |
100 nA | 2 pA | 0.06% +100 pA | 5 pA |
1 µA | 20 pA | 0.03% +800 pA | 25 pA |
10 µA | 200 pA | 0.03% + 5 nA | 60 pA |
100 µA | 2 nA | 0.03% + 60 nA | 3 nA |
1 mA | 20 nA | 0.03% +300 nA | 6 nA |
10 mA | 200 nA | 0.03% + 6 µA | 200 nA |
100 mA | 2 µA | 0.03% + 30 µA | 600 nA |
1 A 5 | 20 µA | 0.05% + 1.8mA | 70 µA |
3 A 5 | 20 µA | 0.06% + 4 mA | 150 µA |
10 A 5, 6 | 200 µA | 0.5% + 40 mA (典型值) |
溫度系數(shù) (0°–18°C & 28°–50°C)7:±(0.15 × 精度指標)/°C。
大輸出功率和源/宿極限8:每通道大40.4W。±1.01A @ ±40.0V,±3.03A @ ±6.0V,四項限源或宿操作。
電流調(diào)節(jié):線:量程的0.01%。負載:±(量程的0.01% + 100 pA)。
電壓極限/柔度9: 單值設(shè)置雙極電壓極限(柔度)。小值10 mV。精度與電壓源 相同。
過沖:典型值<±0.1%(步進值=量程的10%~90%,電阻負載;其他測試條件,參見 “電流源輸出穩(wěn)定時間”部分)。
其它電源技術(shù)指標
瞬態(tài)響應時間:當負載出現(xiàn)10%到90%的階躍變化時輸出恢復到0.1%的時間 <70μs。
電壓源輸出穩(wěn)定時間:在固定量程上處理電源設(shè)置命令后達到終值0.1%所需的 時間。
100mV,1V量程:典型值<50μs
6V量程:典型值<100μs
40V量程10:典型值<150μs
電流源輸出穩(wěn)定時間:在固定量程上處理電源設(shè)置命令后達到終值0.1%所需的 時間。下列值適用于Iout × Rload = 1V,除非另行說明。
3A量程:典型值<80μs(電流小于2.5A,Rload >2Ω) 1A–10mA量程:典型值<80μs(Rload >6Ω)
1mA量程:典型值<100μs
100μA量程:典型值<150μs
10μA量程:典型值<500μs
1μA量程:典型值<2.5ms
100nA量程:典型值<25ms
直流浮動電壓:輸出電壓可以從機架地電平zui高上浮到±250VDC。
遠端檢測工作范圍11:
HI和SENSE HI之間的大電壓=3V
LO和SENSE LO之間的大電壓=3V
電壓輸出凈空:
40V量程:大輸出電壓=42V – 電源引線上的總壓降 (每條電源引線大1Ω)
6V量程:大輸出電壓=8V – 電源引線上的總壓降 (每條電源引線大1Ω)
過溫保護:內(nèi)部檢測溫度過載時將設(shè)備置為待機模式。
電壓源量程變化過沖:<300mV + 較大量程的0.1%(典型值)。過沖輸入一個 100kΩ負載,20MHz帶寬。
電流源量程變化過沖:<較大量程的5% + 300mV/Rload (典型值,源穩(wěn)定時間 設(shè)置為SETTLE_SMOOTH_100NA)。其他測試條件,參見“電流源輸出穩(wěn)定時間” 部分。
注
1. 對于源精度指標的HI引線壓降每伏要增加50μV。
2. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
3. 在30°C環(huán)境下,無論負載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下,可 參考2600B系列參考手冊的“工作界限(Operating Boundaries)”部分,查詢其它功率下 降信息。
4. 對于電源宿工作模式(第II和第IV象限),要在相應的電流極限精度指標上增加極*程的 0.06%。技術(shù)指標適用于支持的電源宿工作模式。
5. 在30°C環(huán)境下,無論負載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下,可 參考2600B系列參考手冊的“工作界限(Operating Boundaries)”部分,查詢其它功率下 降信息。
6. 10A量程僅適用于脈沖模式。
7. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
8. 在30°C環(huán)境下,無論負載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下,可 參考2600B系列參考手冊的“工作界限(Operating Boundaries)”部分,查詢其它功率下 降信息。
9. 對于電源宿工作模式(第II和第IV象限),要在相應的電壓源指標上增加柔度量程的10%和 極限設(shè)定值的±0.02%。對于100mV量程,要額外增加60mV的不確定值。
10. 當在1A量程下測量時,要增加150μs。
11. 對于源精度指標的HI引線壓降每伏要增加50μV。
脈沖技術(shù)指標
區(qū)域 | 大電流極限 | 大脈寬12 | 大占空比13 |
1 | 1 A @ 40 V | DC,無限制 | 100% |
1 | 3 A @ 6 V | DC,無限制 | 100% |
2 | 1.5A @ 40 V | 100ms | 25% |
3 | 5 A @ 35 V | 4 ms | 4% |
4 | 10 A @ 20 V | 1.8ms | 1% |
小可編程脈寬14,15:100μs。注:對于穩(wěn)定電源在特定I/V輸出端和負載上的 小脈寬可以大于100μs。
脈寬編 程分辨 率:1μs。
脈寬編 程精度 15:±5μs。
脈寬抖 動:2μs(典型值)。
象限圖:
注
12. 從脈沖開始到off-time開始的時間;如下圖所示。
13.在電源宿模式下(第II和IV象限)且環(huán)境溫度高于30°C時,發(fā)熱受限。欲了解更多信息, 可參見參考手冊中的功率方程。
14.小穩(wěn)定脈寬的典型性能:
電源大小 | 負載 | 電源穩(wěn)定 (量程的%) | 小脈寬 |
6 V | 2 Ω | 0.2% | 150 µs |
20 V | 2 Ω | 1% | 200 µs |
35 V | 7 Ω | 0.5% | 500 µs |
40 V | 27 Ω | 0.1% | 400 µs |
1.5 A | 27 Ω | 0.1% | 1.5 ms |
3 A | 2 Ω | 0.2% | 150 µs |
5 A | 7 Ω | 0.5% | 500 µs |
10 A | 2 Ω | 0.5% | 200 µs |
通常采用遠端操作、4線檢測和*、固定量程進行測試。有關(guān)脈沖腳本的更多介紹, 請參見2600B參考手冊。
15.從脈沖開始到off-time開始的時間;如下圖所示。
儀表技術(shù)指標
電壓測量精度16,17
量程 | 默認顯示 分辨率 18 | 輸入電阻 | 精度(1年) 23°C ±5° C ±(% rdg. + 伏特數(shù)) |
100 mV | 100 nV | >10 GΩ | 0.015% + 15 0μV |
1 V | 1 μV | >10 GΩ | 0.015% + 20 0 μV |
6 V | 10 μV | >10 GΩ | 0.015% + 1 mV |
40 V | 10 μV | >10 GΩ | 0.015% + 8 mV |
溫度系數(shù)(0°–18°C & 28°–50°C)19:±(0.15×精度指標)/°C。僅適用于 普通模式,不適用于高電容模式。
電流測量精度 17
量程 | 默認顯示分辨率 20 | 電壓負荷 21 | 精度(1年) 23°C ±5°C ±(% rdg. + 安培數(shù)) |
100 nA | 100 fA | <1 mV | 0.05% + 100 pA |
1 µA | 1 pA | <1 mV | 0.025% +500 pA |
10 µA | 10 pA | <1 mV | 0.025% + 1.5 nA |
100 µA | 100 pA | <1 mV | 0.02% + 25 nA |
1 mA | 1 nA | <1 mV | 0.02% + 200 nA |
10 mA | 10 nA | <1 mV | 0.02% + 2.5 µA |
100 mA | 100 nA | <1 mV | 0.02% + 20 µA |
1 A | 1 µA | <1 mV | 0.03% + 1.5 mA |
3 A | 1 µA | <1 mV | 0.05% + 3.5 mA |
10 A 22 | 10 µA | <1 mV | 0.4% + 25 mA (典型值) |
電流測量穩(wěn)定時間(在V 之后測量穩(wěn)定的時間)23: 在固定量程上處理電源設(shè) step 命令后達到終值0.1%所需的時間。Vout=1V,除非另行說明。電流量程:1mA。 out 時間:<100μs(典型值)。
溫度系數(shù)(0°–18°C & 28°–50°C)24: ±(0.15×精度指標)/°C。僅適用普通模式,不適用于高電容模式。
接觸檢查25(不適合2604B)
速度 | 60Hz(50Hz)下到 存儲器的大測量時間 | 精度(1年) 23°C ±5°C ±(% rdg. + 歐姆數(shù)) |
FAST | 1 (1.2) ms | 5% + 10Ω |
MEDIUM | 4 (5) ms | 5% + 1 Ω |
SLOW | 36 (42) ms | 5% + 0.3Ω |
其它儀表技術(shù)指標
大負載阻抗:
普通模式:10nF(典型值)。
高電容模式:50μF(典型值)
共模電壓:250VDC。
共模隔離度:>1GΩ,<4500pF
過量程:101%的電源量程,102%的測量量程
大檢測引線電阻:額定精度為1kΩ。
檢測輸入阻抗:>10GΩ
注
16. 對于源精度指標的HI引線壓降每伏要增加50μV。
17 .對于NPLC設(shè)置<1,要通過增加誤差項降低精度指標。根據(jù)下表適當 增加量程值的百分比。
NPLC設(shè)置 | 100mV 量程 | 1V–40V 量程 | 100nA 量程 | 1µA–100mA 量程 | 1A–3A 量程 |
0.1 | 0.01% | 0.01% | 0.01% | 0.01% | 0.01% |
0.01 | 0.08% | 0.07% | 0.1% | 0.05% | 0.05% |
0.001 | 0.8% | 0.6% | 1% | 0.5% | 1.1% |
18. 適用于單通道顯示模式。
19. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
20. 適用于單通道顯示模式。
21. 四線遠端檢測僅適用于所選的電流表模式。電壓測量只能設(shè)置為100mV或1V量程。
22. 10A量程僅適用于脈沖模式。
23. 柔度等于100mA。
24. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
25. 包括測量SENSE HI到HI和SENSE LO到LO的接觸電阻。
高電容模式26,27,28
電壓源輸出穩(wěn)定時間:在固定量程上處理完源極命令后,達到終值的0.1% 所需的時間。電流極限=1A。
電壓源量程
Cload =4.7μF的穩(wěn)定時間
100 mV
200 μs (典型值)
1 V
200 μs (典型值)
6 V
200 μs (典型值)
40 V
7 ms (典型值)
電流測量穩(wěn)定時間:在電壓源穩(wěn)定在固定量程上后,達到終值的0.1%所需 的時間。下列值適用于Vout=1V,除非另行說明。
電壓源量程
穩(wěn)定時間
3 A – 1 A
<120 μs(典型值) (Rload > 2Ω)
100 mA – 10 mA
<100 μs (典型值)
1 mA
< 3 ms (典型值)
100 μA
< 3 ms (典型值)
10 μA
< 230 ms (典型值)
1 μA
< 230 ms (典型值)
使用HIGH-C腳本的電容漏流性能29: 負載=5μF||10MΩ
測試:5V步進與測量。200ms(典型值)@50nA。
模式改變延遲:
100μA電流量程以上:
進入高電容模式的延遲:10ms
離開高電容模式的延遲:10ms
1μA和10μA電流量程:
進入高電容模式的延遲:230ms
離開高電容模式的延遲:10ms
電壓表輸入阻抗:100GΩ并聯(lián)3300pF。
噪聲,10Hz-20MHz(6V量程):典型值<30mV 峰-峰值。
電壓源量程改變過沖:典型值<400mV + 較大量程的0.1%。過沖進入200kΩ負載,20MHz帶寬。
注
26. 高電容模式指標僅適用于直流測量。
27. 100nA量程不適用于高電容模式。
28. 高電容模式利用鎖定的量程。禁用自動量程功能。
29. 部分KI廠商腳本。詳細信息參考手冊。
公共指標
IEEE-488:兼容IEEE-488.1。支持IEEE-488.2公共命令和狀態(tài)模型拓撲。
USB控制(背面): USB 2.0器件,TMC488協(xié)議。
RS-232:波特率從300bps到115200bps。
以太網(wǎng):RJ-45接頭,LXI Class C,10/100BT,無自動翻轉(zhuǎn)功能。
擴展接口:利用TSP-Link擴展接口可實現(xiàn)支持TSP功能的儀器相互觸發(fā)和通信。 (不適用2604B)
線纜類型:5e類線或更的LAN交叉線。
長度:任意兩臺支持TSP功能的儀器之間長3米。
LXI兼容性:LXI Class C 1.2
LXI時序:總輸出觸發(fā)響應時間:小值為245μs ,典型值為280μs ,(不 大值)。接收LAN[0-7]事件延遲:未知。產(chǎn)生LAN[0-7]事件延遲: 未知。
數(shù)字I/O接口(不適用2604B)
接頭:25針D型母接頭
輸入/輸出引腳:14個開漏極I/O腳
大輸入電壓:5.25V
小輸入電壓:-0.25V
大邏輯低輸入電壓:0.7V,大+850μA
小邏輯高輸入電壓:2.1V,+570μA。
大源電流(流出數(shù)字I/O腳):+960μA。
大宿電流@大邏輯低電壓(0.7V):-5.0mA。
大宿電流(流入數(shù)字I/O腳):-11mA(不適用2604B)。
5V電源引腳:上限為600mA,固態(tài)熔絲保護。
安全互鎖引腳:有效高輸入。必須從外部加載>3.4V@24mA(大值6V) 到該引腳上,以確保200V操作。該信號通過一個10kΩ電阻下拉到機殼 地。當INTERLOCK信號<0.4V時(小值-0.4V),200V操作將會被 阻塞。如下圖所示:
USB文件系統(tǒng)(前部):USB 2.0主控制器:海量存儲類設(shè)備。
電源:100V~250VAC,50~60Hz(自動檢測),大240 VA。
冷卻:強制風冷。側(cè)面進風,背板排風。在以機架式安裝時, 一側(cè)不可阻塞。
EMC:符合歐盟指令2004/108/EEC、EN 61326-1。
安全性:符合歐盟指令73/23/EEC、EN 61010-1和UL 61010-1。
尺寸:89mm 高 × 213mm 寬 × 460mm 深 (3½ in × 8? in × 17 ½ in )。
臺面配置(帶手柄和腳):104mm 高 × 238mm 寬 × 460mm 深 (4? in× 9? in × 17 ½ in )。
重量:2601B:4.75kg (10.4 lbs),2602B,2604B:5.50kg (12.0 lbs)。
工作環(huán)境:僅限于室內(nèi)使用。
海拔:高于海平面大2000米。
工作:0°–50°C,70% R.H.zui高35°C。降低3% R.H./°C,35°–50°C。
存儲:–25°C 到 65°C。
技術(shù)指標適用的條件
本文介紹了2611B,2612B和2614B系統(tǒng)數(shù)字源表的技術(shù)指標和補充說明。這些 技術(shù)指標是測試2611B,2612B和2614B依據(jù)的標準。在出廠時,2611B,2612B和 2614B符合這些技術(shù)指標。補充說明和典型值不在質(zhì)保范圍內(nèi),適用于23°C,僅用 作有效信息。
精確技術(shù)指標適用于普通模式和高電容模式。這些源和測量精度在下列條件下適用于數(shù)字源表CHANNEL A(2611B,2612B和 2614B)或數(shù)字源表CHANNEL B(2612B和2614B)終端:
1. 23°C ±5°C,相對濕度<70%
2. 經(jīng)過2小時的預熱
3. 普通速度(1 NPLC)
4. 啟用A/D自動調(diào)零
5. 遠端檢測操作或適當?shù)臍w零局部操作
6. 校準周期=1年
源技術(shù)指標
電壓源技術(shù)指標
電壓編程精度1
量程 | 編程分辨率 | 精度(1年) 23°C ±5°C ±(% rdg. + 伏特數(shù)) | 典型噪聲 (峰-峰值) 0.1Hz–10Hz |
200mV | 5 µV | 0.02% +375 µV | 20 µV |
2 V | 50 µV | 0.02% +600 µV | 50 µV |
20 V | 500 µV | 0.02% + 5 mV | 300 µV |
200 V | 5 mV | 0.02% + 50 mV | 2 mV |
溫度系數(shù) (0°–18°C & 28°–50°C)2:±(0.15 × 精度指標)/°C。僅適用于 普通模式,不適用于高電容模式。
大輸出功率和源/宿極限3:每通道大30.3W。±20.2V@ ±1.5A,±202V@± 100 mA,四項限源或宿操作。
電壓調(diào)節(jié):線:量程的 0.01%。負載:±(量程的0.01% + 100μV)。
噪聲 10Hz~20MHz:典型值<20mV(峰-峰值),典型值<3mV RMS(有效值), 20V量程。
電流極限/柔度4: 單值設(shè)置雙極電流極限(柔度)。小值10nA。精度與電流源 相同。
過沖:典型值<±(0.1% + 10mV)。步進值=量程的10%~90%,電阻負載,大電流 極限 /柔度。
保護偏移電壓:典型值 < 4mV。(電流 < 10mA)。
電流源技術(shù)指標
電流編程精度5
量程 | 編程分辨率 | 精度(1年) 23°C ±5°C ±(% rdg. + 安培數(shù)) | 典型噪聲 (峰-峰值) 0.1Hz–10Hz |
100 n A | 2 p A | 0.06% + 100 p A | 5 p A |
1μA | 20 p A | 0.03% + 800 p A | 25 p A |
10μA | 200 p A | 0.03% + 5 n A | 60 p A |
10 0μA | 2 n A | 0.03% + 60 n A | 3 n A |
1 m A | 20 n A | 0.03% + 300 n A | 6 n A |
10m A | 200 n A | 0.03% + 6 μA | 200 n A |
100m A | 2 μA | 0.03% + 30μA | 600 n A |
1 A 6 | 20 μA | 0.05% +1.8 m A | 70 μA |
1.5 A 6 | 50 μA | 0.06% + 4 m A | 150μA |
10 A 6,7 | 200μA | 0.5% + 40 m A (典型值) |
溫度系數(shù) (0°–18°C & 28°–50°C)8:±(0.15 × 精度指標)/°C。僅適用于 普通模式,不適用于高電容模式。
大輸出功率和源/宿極限9:每通道大30.3W。±1.515A @ ±20V , ±101mA @ ±200V,四項限源或宿操作。
電流調(diào)節(jié):線:量程的0.01%。負載:±(量程的0.01% + 100 pA)。
電壓極限/柔度10: 單值設(shè)置雙極電壓極限(柔度)。小值20 mV。精度與電壓源 相同。
過沖:典型值<±0.1%(步進值=量程的10%~90%,電阻負載;其他測試條件,參見 “電流源輸出穩(wěn)定時間”部分)。
其它電源技術(shù)指標
瞬態(tài)響應時間:當負載出現(xiàn)10%到90%的階躍變化時輸出恢復到0.1%的時間<70μs。 電壓源輸出穩(wěn)定時間:在固定量程上處理電源設(shè)置命令后達到終值0.1%所需的時間。
量程
穩(wěn)定時間
200 mV
<50 μs (典型值)
2 V
<50 μs (典型值)
20 V
<110 μs (典型值)
200 V
<700 μs (典型值)
電流源輸出穩(wěn)定時間:在固定量程上處理電源設(shè)置命令后達到終值0.1%所需的時間。 下列值適用于Iout × Rload = 2V,除非另行說明。
電流量程
穩(wěn)定時間
1.5 A – 1 A
<120 μs (典型值) (Rload > 6)
100 mA – 10 mA
<80 μs (典型值)
1 mA
<100 μs (典型值)
100 μA
<150 μs (典型值)
10 μA
<500 μs (典型值)
1 μA
<2 ms (典型值)
100 μA
<20 ms (典型值)
直流浮動電壓:輸出電壓可以從機架地電平zui高上浮到±250VDC。
遠端檢測工作范圍11:
HI和SENSE HI之間的大電壓=3V
LO和SENSE LO之間的大電壓=3V
電壓輸出凈空:
200V量程:大輸出電壓= 202.3V – 電源引線上的總壓降(每條電源引線大 1Ω)
20V量程:大輸出電壓= 23.3V – 電源引線上的總壓降(每條電源引線大 1Ω)
超溫保護:內(nèi)部檢測溫度過載時將設(shè)備置為待機模式。
電壓源量程變化過沖:<300mV + 較大量程的0.1%(典型值)。過沖輸入一個200kΩ 負載,20MHz帶寬。
電流源量程變化過沖:<較大量程的5% + 300mV/Rload(典型值,源穩(wěn)定時間設(shè)置為 SETTLE_SMOOTH_100NA)。其他測試條件,參見“電流源輸出穩(wěn)定時間”部分。
注
1. 對于源精度指標的HI引線壓降每伏要增加50μV。
2. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
3.在30°C環(huán)境下,無論負載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下,可參考 2600B系列參考手冊的“工作界限(Operating Boundaries)”部分,查詢其它功率下降信息。
4.對于電源宿工作模式(第II和第IV象限),要在相應的電流極限精度指標上增加極*程的0.06%。 技術(shù)指標適用于支持的電源宿工作模式。
5.精度指標不包括集電極漏流。在18°–28°C之間工作時,每°C精度降低Vout/2E11;在<18°C或 >28°C工作時,每°C精度降低Vout/2E11 + (0.15?Vout/2E11)。
6.在30°C環(huán)境下,無論負載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下,可參考 2600B系列參考手冊的“工作界限(Operating Boundaries)”部分,查詢其它功率下降信息。
7.10A量程僅適用于脈沖模式。
8. 高電容模式精度僅適用于23°C ±5°C。
9.在30°C環(huán)境下,無論負載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下,可參考 2600B系列參考手冊的“工作界限(Operating Boundaries)”部分,查詢其它功率下降信息。
10.對于電源宿工作模式(第II和第IV象限),要在相應的電壓源指標上增加柔度量程的10%和極限 設(shè)定值的±0.02%。對于200mV量程,要額外增加120mV的不確定值。
11.對于源精度指標的HI引線壓降每伏要增加50μV。
脈沖技術(shù)指標
區(qū)域 | 大電流極限 | 大脈寬12 | 大占空比13 |
1 | 100m A @ 200 V | DC, 無限制 | 100% |
1 | 1.5 A @ 20 V | DC, 無限制 | 100% |
2 | 1 A @ 180 V | 8.5 ms | 1% |
314 | 1 A @ 200 V | 2.2 ms | 1% |
4 | 10 A @ 5 V | 1 ms | 2.2% |
小可編程脈寬15,16:100μs。注:對于穩(wěn)定電源在特定I/V輸出端和負載上的小 脈寬可以大于100μs。
脈寬編 程分辨 率:1μs。
脈寬編 程精度 15:±5μs。
脈寬抖動:2μs(典型值)。
13.在電源宿模式下(第II和IV象限)且環(huán)境溫度高于30°C時,發(fā)熱受限。欲了解更多信息, 可參見參考手冊中的功率方程。
14. 電壓源工作在1.5 A電流極限下。
15. 小穩(wěn)定脈寬的典型性能:
電源大小 | 負載 | 電源穩(wěn)定 (量程的%) | 小脈寬 |
5 V | 0.5Ω | 1% | 300 µs |
20 V | 200 Ω | 0.2% | 200 µs |
180 V | 180Ω | 0.2% | 5 ms |
200 V (極限1.5 A) | 200 Ω | 0.2% | 1.5 ms |
100 mA | 200 Ω | 1% | 200 µs |
1 A | 200 Ω | 1% | 500 µs |
1 A | 180Ω | 0.2% | 5 ms |
10 A | 0.5Ω | 0.5% | 300 µs |
通常采用遠端操作、4線檢測和*、固定量程進行測試。有關(guān)脈沖腳本的更多介紹, 請參見2600B參考手冊。
儀表技術(shù)指標
電壓測量精度 17, 18
量程 | 默認顯示分辨率19 | 輸入電阻 | 精度(1年) 23°C ±5°C ±(% rdg. + 伏特數(shù)) |
200 mV | 100 nV | >10 GΩ | 0.015% + 225 μV |
2 V | 1 nV | >10 GΩ | 0.02% + 350 μV |
20 V | 10 nV | >10 GΩ | 0.015% + 5 mV |
200 V | 100 nV | >10 GΩ | 0.015% + 50 mV |
溫度系數(shù)(0°–18°C & 28°–50°C)20:±(0.15×精度指標)/°C。僅適用于 普通模式,不適用于高電容模式。
電流測量精度 18, 21
量程 | 默認顯示分辨率22 | 電壓負荷23 | 精度(1年) 23°C ±5°C ±(% rdg. + 安培數(shù)) |
100 nA | 100 fA | <1 mV | 0.06% + 100 pA |
1 µA | 1 pA | <1 mV | 0.025% + 500 pA |
10 µA | 10 pA | <1 mV | 0.025% + 1.5nA |
100 µA | 100 pA | <1 mV | 0.02% + 25 nA |
1 mA | 1 nA | <1 mV | 0.02% + 200 nA |
10 mA | 10 nA | <1 mV | 0.02% + 2.5µA |
100 mA | 100 nA | <1 mV | 0.02% + 20 µA |
1 A | 1 µA | <1 mV | 0.03% + 1.5mA |
1.5 A | 1 µA | <1 mV | 0.05% + 3.5mA |
10 A 24 | 10 µA | <1 mV | 0.4% + 25 mA (典型值) |
電流測量穩(wěn)定時間(在Vstep之后測量穩(wěn)定的時間)25: 在固定量程上處理電源設(shè)置 命令后達到終值0.1%所需的時間。Vout= 2V,除非另行說明。電流量程:1mA。
穩(wěn)定時間:<100μs(典型值)。
溫度系數(shù)(0°–18°C & 28°–50°C)26: ±(0.15×精度指標)/°C。僅適用于 普通模式,不適用于高電容模式。
接觸檢查27 (不適合2614B)
速度 | 60Hz(50Hz)下到存儲器的大測量時間 | 精度(1年) 23°C ±5°C ±(% rdg. + 歐姆數(shù)) |
FAST | 1 (1.2) ms | 5% + 10Ω |
MEDIUM | 4 (5) ms | 5% + 1 Ω |
SLOW | 36 (42) ms | 5% + 0.3Ω |
其它儀表技術(shù)指標
大負載阻抗:
普通模式:10nF(典型值)。高電容模式:50μF(典型值)
共模電壓:250VDC。
共模隔離度:>1GΩ,<4500pF
過量程:101%的電源量程,102%的測量量程
大檢測引線電阻:額定精度為1kΩ。
檢測輸入阻抗:>10GΩ
注
17. 對于源精度指標的HI引線壓降每伏要增加50μV。
18. 對于NPLC設(shè)置<1,要通過增加誤差項來降低精度指標。根據(jù)下表適當增加量程值的百分比。
NPLC設(shè)置 | 200mV 量程 | 2V–200V 量程 | 100nA 量程 | 1µA–100mA 量程 | 1A–1.5A 量程 |
0.1 | 0.01% | 0.01% | 0.01% | 0.01% | 0.01% |
0.01 | 0.08% | 0.07% | 0.1% | 0.05% | 0.05% |
0.001 | 0.8% | 0.6% | 1% | 0.5% | 1.1% |
19. 適用于單通道顯示模式。
20. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
21.精度指標不包括集電極漏流。在18°–28°C之間工作時,每°C精度降低Vout/2E11;在<18°C 或>28°C工作時,每°C精度降低Vout/2E11 + (0.15·Vout/2E11)。
22. 適用于單通道顯示模式。
23. 四線遠端檢測僅適用于所選的電流表模式。電壓測量只能設(shè)置為200mV或2V量程。
24. 10A量程僅適用于脈沖模式。
25. 柔度等于100mA。
26. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
27. 包括測量SENSE HI到HI和SENSE LO到LO接觸電阻
高電容模式 28, 29, 30
電壓源輸出穩(wěn)定時間:在固定量程上處理完源極命令后,達到終值的0.1%所需的 時間。電流極限=1A。
電壓源量
Cload =4.7μF的穩(wěn)定時間
200 mV
600 μs (典型值)
2 V
600 μs (典型值)
20 V
1.5 ms (典型值)
200 V
200 ms (典型值)
電流測量穩(wěn)定時間:在電壓源穩(wěn)定在固定量程上后,達到終值的0.1%所需的時間。 下列值適用于Vout=2V,除非另行說明。
電流量程
穩(wěn)定時間
1.5 A – 1 A
<120 μs (典型值) (Rload > 6Ω)
100 mA – 10 mA
<100 μs (典型值)
1 mA
< 3 ms (典型值)
100 μA
< 3 ms (典型值)
10 μA
< 230 ms (典型值)
1 μA
< 230 ms (典型值)
使用HIGH-C腳本的電容漏流性能32: 負載=5μF||10MΩ
測試:5V步進與測量。200ms(典型值)@50nA。
模式改變延遲:
100μA電流量程以上:
進入高電容模式的延遲:10ms
離開高電容模式的延遲:10ms
1μA和10μA電流量程:
進入高電容模式的延遲:230ms
離開高電容模式的延遲:10ms
電壓表輸入阻抗:30GΩ并聯(lián)3300pF。
噪聲,10Hz-20MHz(20V量程):典型值<30mV 峰-峰值。
電壓源量程改變過沖(用于20V量程以下):典型值<400mV + 較大量程的0.1%。
過沖進入200kΩ負載,20MHz帶寬。
注
28. 高電容模式指標僅適用于直流測量。
29. 100nA以下量程不適用于高電容模式。
30. 高電容模式利用鎖定的量程。禁用自動量程功能。
31. 部分KI廠商腳本。詳細信息參考手冊。
公共指標
IEEE-488:兼容IEEE-488.1。支持IEEE-488.2公共命令和狀態(tài)模型拓撲。
USB控制 (背面): USB 2.0器件,TMC488協(xié)議。
RS-232:波特率從300bps到115200bps。數(shù)據(jù)位數(shù)、奇偶類型和流程控制 (RTS/CTS硬件或沒有)可編程。
以太網(wǎng):RJ-45接頭,LXI Class C,10/100BT,無自動翻轉(zhuǎn)功能。
擴展接口:利用TSP-Link擴展接口可實現(xiàn)支持TSP功能的儀器相互觸發(fā)和 通信。(不適用2634B)
線纜類型:5e類線或更的LAN交叉線。
長度:任意兩臺支持TSP功能的儀器之間長3米。
LXI兼容性:LXI Class C 1.4
LXI時序:總輸出觸發(fā)響應時間:小值為245μs ,典型值為280μs , (不大值)。接收LAN[0-7]事件延遲:未知。產(chǎn)生LAN[0-7]
事件延遲:未知。
數(shù)字I/O接口(不適用2634B)
接頭:25針D型母接頭
輸入/輸出引腳:14個開漏極I/O腳
大輸入電壓:5.25V
小輸入電壓:-0.25V
大邏輯低輸入電壓:0.7V,大+850μA
小邏輯高輸入電壓:2.1V,+570μA。
大源電流(流出數(shù)字I/O腳):+960μA。
大宿電流@大邏輯低電壓(0.7V):-5.0mA。
大宿電流(流入數(shù)字I/O腳):-11mA。
5V電源引腳:上限為600mA,固態(tài)熔絲保護。
安全互鎖引腳:有效高輸入。必須從外部加載>3.4V@24mA(大值6V)到該引腳上,以確保200V操作。該信號通過一個10kΩ電阻下拉到機殼地。當INTERLOCK信號<0.4V時(小值-0.4V),200V操作將會被阻塞。如下圖所示:
USB文件系統(tǒng)(前部):USB 2.0主控制器:海量存儲類設(shè)備。
電源:100V~250VAC,50~60Hz(自動檢測),大240 VA。
冷卻:強制風冷。側(cè)面進風,背板排風。在以機架式安裝時,一側(cè)不可阻塞。
EMC:符合歐盟指令2004/108/EEC、EN 61326-1。
安全性:符合歐盟指令73/23/EEC、EN 61010-1和UL 61010-1。
尺寸:89mm 高 × 213mm 寬 × 460mm 深 (3½ in × 8? in × 17½ in )。
臺面配置(帶手柄和腳):104mm 高 × 238mm 寬 × 460mm 深 (4? in× 9? in × 17½ in )。
重量:2635B:4.75kg (10.4 lbs),2634B,2635B:5.50kg (12.0 lbs)。
工作環(huán)境:僅限于室內(nèi)使用。海拔:高于海平面大2000米。
工作:0°- 50°C,70% R.H.zui高35°C。降低3% R.H./°C,35°– 50°C。
存儲:–25°C 到 65°C。
技術(shù)指標適用的條件
本文介紹了2634B,2635B和2636B系統(tǒng)數(shù)字源表的技術(shù)指標和補充說明。這些 技術(shù)指標是測試2634B,2635B和2636B依據(jù)的標準。在出廠時,2634B,2635B和2636B 符合這些技術(shù)指標。補充說明和典型值不在質(zhì)保范圍內(nèi),適用于23°C,僅用作有效 信息。
精確技術(shù)指標適用于普通模式和高電容模式。這些源和測量精度在下列條件下適用于數(shù)字源表CHANNEL A(2634B,2635B和 2636B)或數(shù)字源表CHANNEL B(2635B和2636B)終端:
1. 23°C ±5°C,相對濕度<70%
2. 經(jīng)過2小時的預熱
3. 普通速度(1 NPLC)
4. 啟用A/D自動調(diào)零
5. 遠端檢測操作或適當?shù)臍w零局部操作
6. 校準周期=1年
源技術(shù)指標
電壓源技術(shù)指標
電壓編程精度1>
量程 | 編程分辨率 | 精度(1年) 23°C ±5°C ±(% rdg. + 伏特數(shù)) | 典型噪聲 (峰-峰值) 0.1Hz–10Hz |
200 mV | 5 µV | 0.02% + 375 µV | 20 µV |
2 V | 50 µV | 0.02% +600 µV | 50 µV |
20 V | 500 µV | 0.02% + 5 mV | 300 µV |
200 V | 5 mV | 0.02% + 50 mV | 2 mV |
溫度系數(shù) (0°–18°C & 28°–50°C)2:±(0.15 × 精度指標)/°C。僅適用于普通模式,不適用于高電容模式。
大輸出功率和源/宿極限3:每通道大30.3W。±20.2V@ ±1.5A,±202V@±100 mA,四項限源或宿操作。
電壓調(diào)節(jié):線:量程的 0.01%。負載:±(量程的0.01% + 100μV)。
噪聲 10Hz~20MHz:典型值<20mV(峰-峰值),典型值<3mV RMS(有效值),20V量程。
電流極限/柔度4: 單值設(shè)置雙極電流極限(柔度)。小值100pA。精度與電流源相同。
過沖:典型值<±(0.1% + 10mV)。步進值=量程的10%~90%,電阻負載,大電流極限/柔度。
保護偏移電壓:典型值 < 4mV。(電流 < 10mA)。
電流源技術(shù)指標
電流編程精度
量程 | 編程分辨率 | 精度(1年) 23°C ±5°C ±(% rdg. +安培數(shù)) | 典型噪聲 (峰-峰值) 0.1Hz–10Hz |
1 nA | 20 fA | 0.15% + 2 pA | 800 fA |
10 nA | 200 fA | 0.15% + 5 pA | 2 pA |
100 nA | 2 pA | 0.06% + 50 pA | 5 pA |
1 µA | 20 pA | 0.03% +700 pA | 25 pA |
10 µA | 200 pA | 0.03% + 5 nA | 60 pA |
100 µA | 2 nA | 0.03% + 60 nA | 3 nA |
1 mA | 20 nA | 0.03% +300 nA | 6 nA |
10 mA | 200 nA | 0.03% + 6μA | 200 nA |
100mA | 2 µA | 0.03% + 30μA | 600 nA |
1 A 5 | 20 µA | 0.05% +1.8 mA | 70μA |
1.5 A 5 | 50 µA | 0.06% + 4 mA | 150μA |
10 A 5, 6 | 200 µA | 0.5% + 40 mA (典型值) |
溫度系數(shù) (0°–18°C & 28°–50°C)7:±(0.15 × 精度指標)/°C。僅適用于普通模式,不適用于高電容模式。
大輸出功率和源/宿極限8:每通道大30.3W。±1.515A @ ±20V , ±101mA @±200V,四項限源或宿操作。
電流調(diào)節(jié):線:量程的0.01%。負載:±(量程的0.01% + 100 pA)。
電壓極限/柔度9: 單值設(shè)置雙極電壓極限(柔度)。小值20 mV。精度與電壓源相同。
過沖:典型值<±0.1%(步進值=量程的10%~90%,電阻負載;大電流極限/柔度。其他測試條件,參見“電流源輸出穩(wěn)定時間”部分)。
其它電源技術(shù)指標
瞬態(tài)響應時間:當負載出現(xiàn)10%到90%的階躍變化時輸出恢復到0.1%的時間<70μs。
電壓源輸出穩(wěn)定時間:在固定量程上處理電源設(shè)置命令后達到終值0.1%所需的時間。
量程
穩(wěn)定時間
200 m V
<50 μs (典型值)
2 V
<50 μs (典型值)
20 V
<110 μs (典型值)
200 V
<700 μs (典型值)
電流源輸出穩(wěn)定時間:在固定量程上處理電源設(shè)置命令后達到終值0.1%所需的時間。下列值適用于Iout× Rload = 2V,除非另行說明。
電壓源量程
穩(wěn)定時間
1.5 A – 1 A
<120 μs(典型值) (Rload > 2Ω)
100 mA – 10 mA
<80 μs (典型值)
1 mA
<100 μs (典型值)
100 μA
<150 μs (典型值)
10 μA
<500 μs (典型值)
1 μA
<2 ms (典型值)
100 μA
<20 ms (典型值)
10 μA
<40 ms (典型值)
1 μA
<150 ms (典型值)
直流浮動電壓:輸出電壓可以從機架地電平zui高上浮到±250VDC。
遠端檢測工作范圍10:
HI和SENSE HI之間的大電壓=3V
LO和SENSE LO之間的大電壓=3V
電壓輸出凈空:
200V量程:大輸出電壓= 202.3V – 電源引線上的總壓降(每條電源引線大1Ω)
20V量程:大輸出電壓= 23.3V – 電源引線上的總壓降(每條電源引線大1Ω)
超溫保護:內(nèi)部檢測溫度過載時將設(shè)備置為待機模式。
電壓源量程變化過沖:<300mV + 較大量程的0.1%(典型值)。過沖輸入一個200kΩ負載,20MHz帶寬。
電流源量程變化過沖:<較大量程的5% + 300mV/Rload(典型值,源穩(wěn)定時間設(shè)置為SETTLE_SMOOTH_100NA)。其他測試條件,參見“電流源輸出穩(wěn)定時間”部分。
脈沖技術(shù)指標
區(qū)域 | 大電流極限 | 大脈寬11 | 大占空比12 |
1 | 100 m A @ 200 V | DC, 無限制 | 100% |
1 | 1.5 A @ 20 V | DC, 無限制 | 100% |
2 | 1 A @ 180 V | 8.5 m s | 1% |
313 | 1 A @ 200 V | 2.2 m s | 1% |
4 | 10 A @ 5 V | 1 m s | 2.2% |
小可編程脈寬14,15:100μs。注:對于穩(wěn)定電源在特定I/V輸出端和負載上的小脈寬可以大于100μs。
脈寬編程分辨率:1μs。
脈寬編程精度15:±5μs。
脈寬抖動:50μs(典型值)。
注
1. 對于源精度指標的HI引線壓降每伏要增加50μV。
2. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
3. 在30°C環(huán)境下,無論負載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下,可參考2600B系列參考手冊的“工作界限(Operating Boundaries)”部分,查詢其它功率下降信息。
4. 對于電源宿工作模式(第II和第IV象限),要在相應的電流極限精度指標上增加極*程的0.06%。技術(shù)指標適用于支持的電源宿工作模式。
5. 在30°C環(huán)境下,無論負載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下,可參考2600B系列參考手冊的“工作界限(Operating Boundaries)”部分,查詢其它功率下降信息。
6. 10A量程僅適用于脈沖模式。
7. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
8. 在30°C環(huán)境下,無論負載多大都是全電源工作。在30°C以上和/或電源宿工作模式下,可參考2600B系列參考手冊的“工作界限(Operating Boundaries)”部分,查詢其它 功率下降信息。
9. 對于電源宿工作模式(第II和第IV象限),要在相應的電壓源指標上增加柔度量程的10%和極限設(shè)定值的±0.02%。對于200mV量程,要額外增加120mV的不確定值。
10. 對于源精度指標的HI引線壓降每伏要增加50μV。
11. 從脈沖開始到off-time開始的時間;如下圖所示。
12. 在電源宿模式下(第II和IV象限)且環(huán)境溫度高于30°C時,發(fā)熱受限。欲了解更多信息, 可參見參考手冊中的功率方程。
13. 電壓源工作在1.5 A電流極限下。
14. 小穩(wěn)定脈寬的典型性能:
電源大小 | 負載 | 電源穩(wěn)定 (量程的%) | 小脈寬 |
5 V | 0.5Ω | 1% | 300 µs |
20 V | 200Ω | 0.2% | 200 µs |
180 V | 180Ω | 0.2% | 5 ms |
200 V (極限1.5 A) | 200Ω | 0.2% | 1.5 ms |
100 mA | 200Ω | 1% | 200 µs |
1 A | 200Ω | 1% | 500 µs |
1 A | 180Ω | 0.2% | 5 ms |
10 A | 0.5Ω | 0.5% | 300 µs |
通常采用遠端操作、4線檢測和*、固定量程進行測試。有關(guān)脈沖腳本的更多介紹, 請參見2600B參考手冊。
儀表技術(shù)指標
電壓測量精度 16, 17
量程 | 默認顯示分辨率18 | 輸入電阻 | 精度(1年) 23°C ±5°C ±(% rdg. + 伏特數(shù)) |
200 mV | 100 nV | >1014 Ω | 0.015% + 225 µV |
2 V | 1 µV | >1014 Ω | 0.02% + 350 µV |
20 V | 10 µV | >1014 Ω | 0.015% + 5 mV |
200 V | 100 µV | >1014 Ω | 0.015% + 50 mV |
溫度系數(shù)(0°–18°C & 28°–50°C)19:±(0.15×精度指標)/°C。僅適用于普通模式,不適用于高電容模式。
電流測量精度 17
量程 | 默認顯示分辨率20 | 電壓負荷21 | 精度(1年) 23°C ±5°C ±(% rdg. + 安培數(shù)) |
*100 pA 22, 23 | 0.1 fA | <1 mV | 0.15% + 120 fA |
1 nA 22, 24 | 1 fA | <1 mV | 0.15% + 240 fA |
10 nA | 10 fA | <1 mV | 0.15% + 3 pA |
100 nA | 100 fA | <1 mV | 0.06% + 40 pA |
1 µA | 1 pA | <1 mV | 0.025% + 400pA |
10 µA | 10 pA | <1 mV | 0.025% + 1.5nA |
100 µA | 100 pA | <1 mV | 0.02% + 25 nA |
1 mA | 1 nA | <1 mV | 0.02% + 200 nA |
10 mA | 10 nA | <1 mV | 0.02% + 2.5 µA |
100 mA | 100 nA | <1 mV | 0.02% + 20 µA |
1 A | 1 µA | <1 mV | 0.03% + 1.5 mA |
1.5 A | 1 µA | <1 mV | 0.05% + 3.5 mA |
10 A 25 | 10 µA | <1 mV | 0.4% + 25 mA |
* 100 pA量程不適用于2634B型。
電流測量穩(wěn)定時間(在Vstep之后測量穩(wěn)定的時間)26: 在固定量程上處理電源設(shè)置命令后達到終值0.1%所需的時間。Vout= 2V,除非另行說明。電流量程:1mA。穩(wěn)定時間:<100μs(典型值)。
溫度系數(shù)(0°–18°C & 28°–50°C)27: ±(0.15×精度指標)/°C。僅適用于普通模式,不適用于高電容模式。
接觸檢查28 (不適合2634B)
速度 | 60Hz(50Hz)下到存儲器的大測量時間 | 精度(1年) 23°C ±5°C ±(% rdg. + 歐姆數(shù)) |
FAST | 1 (1.2) ms | 5% + 10Ω |
MEDIUM | 4 (5) ms | 5% + 1 Ω |
SLOW | 36 (42) ms | 5% + 0.3Ω |
其它儀表技術(shù)指標
大負載阻抗:
普通模式:10nF(典型值)。高電容模式:50μF(典型值)
共模電壓:250VDC。
共模隔離度:>1GΩ,<4500pF
過量程:101%的電源量程,102%的測量量程
大檢測引線電阻:額定精度為1kΩ。
檢測輸入阻抗:>1014Ω
注
16. 對于源精度指標的HI引線壓降每伏要增加50μV。
17. 對于NPLC設(shè)置<1,要通過增加誤差項來降低精度指標。根據(jù)下表適當增加量程值的百分比。
NPLC設(shè)置 | 200mV 量程 | 2V–200V 量程 | 100nA 量程 | 1µA–100mA 量程 | 1A–1.5A 量程 |
0.1 | 0.01% | 0.01% | 0.01% | 0.01% | 0.01% |
0.01 | 0.08% | 0.07% | 0.1% | 0.05% | 0.05% |
0.001 | 0.8% | 0.6% | 1% | 0.5% | 1.1% |
18. 適用于單通道顯示模式。
19. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
20. 適用于單通道顯示模式。
21. 四線遠端檢測僅適用于所選的電流表模式。電壓測量只能設(shè)置為200mV或2V量程。
22. 10-NPLC,11點中值濾波器,量程<200V,在調(diào)零后1小時內(nèi)進行測量,23°C±1°C。
23. 在默認的指標條件下:±(0.15% + 750fA)。
24. 在默認的指標條件下:±(0.15% + 1pA)。
25. 10A量程僅適用于脈沖模式。
26. 延遲因數(shù)設(shè)置為1。柔度等于100mA。
27. 高電容模式精度僅適用于23°C±5°C。
28. 包括測量SENSE HI到HI和SENSE LO到LO接觸電阻
高電容模式29, 30, 31
電壓源輸出穩(wěn)定時間:在固定量程上處理完源極命令后,達到終值的0.1%所需的時間。電流極限=1A。
電壓源量程
Cload =4.7μF的穩(wěn)定時間
200 mV
600 μs (典型值)
2 V
600 μs (典型值)
20 V
1.5 ms (典型值)
200 V
20 ms (典型值)
電流測量穩(wěn)定時間:在電壓源穩(wěn)定在固定量程上后,達到終值的0.1%所需的時間。下列值適用于Vout=2V,除非另行說明。
電壓源量程
穩(wěn)定時間
1.5 A – 1 A
<120 μs(典型值) (Rload > 6Ω)
100 mA – 10 mA
<100 μs(典型值)
1 mA
< 3 ms(典型值)
100 μA
< 3 ms(典型值)
10 μA
< 230 ms (典型值)
1 μA
< 230 ms (典型值)
使用HIGH-C腳本的電容漏流性能32: 負載=5μF||10MΩ
測試:5V步進與測量。200ms(典型值)@50nA。
模式改變延遲:
100μA電流量程以上:
進入高電容模式的延遲:10ms
離開高電容模式的延遲:10ms
1μA和10μA電流量程:
進入高電容模式的延遲:230ms
離開高電容模式的延遲:10ms
電壓表輸入阻抗:30GΩ并聯(lián)3300pF。
噪聲,10Hz-20MHz(20V量程):典型值<30mV 峰-峰值。
電壓源量程改變過沖(用于20V量程以下):典型值<400mV + 較大量程的0.1%。
過沖進入200kΩ負載,20MHz帶寬。
注
29. 高電容模式指標僅適用于直流測量。
30. 100nA以下量程不適用于高電容模式。
31. 高電容模式利用鎖定的量程。禁用自動量程功能。
32. 部分KI廠商腳本。詳細信息參考手冊。
公共指標
IEEE-488:兼容IEEE-488.1。支持IEEE-488.2公共命令和狀態(tài)模型拓撲。
USB控制 (背面): USB 2.0器件,TMC488協(xié)議。
RS-232:波特率從300bps到115200bps。數(shù)據(jù)位數(shù)、奇偶類型和流程控制(RTS/CTS硬件或沒有)可編程。
以太網(wǎng):RJ-45接頭,LXI Class C,10/100BT,無自動翻轉(zhuǎn)功能。
擴展接口:利用TSP-Link擴展接口可實現(xiàn)支持TSP功能的儀器相互觸發(fā)和通信。(不適用2634B)
線纜類型:5e類線或更的LAN交叉線。
長度:任意兩臺支持TSP功能的儀器之間長3米。
LXI兼容性:LXI Class C 1.4
LXI時序:總輸出觸發(fā)響應時間:小值為245μs ,典型值為280μs ,(不大值)。接收LAN[0-7]事件延遲:未知。產(chǎn)生LAN[0-7]事件 延遲:未知。
數(shù)字I/O接口:(不適用2634B)
接頭:25針D型母接頭
輸入/輸出引腳:14個開漏極I/O腳
大輸入電壓:5.25V
小輸入電壓:-0.25V
大邏輯低輸入電壓:0.7V,大+850μA
小邏輯高輸入電壓:2.1V,+570μA。
大源電流(流出數(shù)字I/O腳):+960μA。
大宿電流@大邏輯低電壓(0.7V):-5.0mA。
大宿電流(流入數(shù)字I/O腳):-11mA。
5V電源引腳:上限為600mA,固態(tài)熔絲保護。
安全互鎖引腳:有效高輸入。必須從外部加載>3.4V@24mA(大值6V)到該引腳上,以確保200V操作。該信號通過一個10kΩ電阻下拉到機殼地。當INTERLOCK信號<0.4V時(小值-0.4V),200V操作將會被阻塞。如下圖所示:
USB文件系統(tǒng)(前部):USB 2.0主控制器:海量存儲類設(shè)備。
電源:100V~250VAC,50~60Hz(自動檢測),大240 VA。
冷卻:強制風冷。側(cè)面進風,背板排風。在以機架式安裝時,一側(cè)不可阻塞。
EMC:符合歐盟指令2004/108/EEC、EN 61326-1。
安全性:符合歐盟指令73/23/EEC、EN 61010-1和UL 61010-1。
尺寸:89mm 高 × 213mm 寬 × 460mm 深 (3½ in × 8? in× 17½ in )。臺面配置(帶手柄和腳):104mm 高 × 238mm 寬 × 460mm 深 (4? in × 9? in × 17½ in )。
重量:2635B:4.75kg (10.4 lbs),2634B,2635B:5.50kg (12.0 lbs)。
工作環(huán)境:僅限于室內(nèi)使用。海拔:高于海平面大2000米。
工作:0°–50°C,70% R.H.zui高35°C。降低3% R.H./°C,35°–50°C。
存儲:–25°C 到 65°C。
適用于2601B, 2602B, 2604B, 2611B, 2612B, 2614B, 2634B, 2635B和2636B。
測量速度指標 1, 2, 3
60Hz(50Hz)下大掃描操作速度(每秒操作次數(shù)):
A/D轉(zhuǎn)換器速度 | 觸發(fā)地 | 使用用戶腳本 對存儲器進行 測量 | 使用用戶腳本 對GPIB進行 測量 | 使用用戶腳本 對存儲器進行 源測量 | 使用用戶腳本 對GPIB進行 源測量 | 使用掃描API 對存儲器進行 測量 | 使用掃描API 對GPIB進行 測量 |
0.001 NPLC | 內(nèi)部 | 20000 (20000) | 10500 (10500) | 7000 (7000) | 6200 (6200) | 12000 (12000) | 5900 (5900) |
0.001 NPLC | 數(shù)字I/O | 8100 (8100) | 7100 (7100) | 5500 (5500) | 5100 (5100) | 11200 (11200) | 5700 (5700) |
0.01 NPLC | 內(nèi)部 | 5000 (4000) | 4000 (3500) | 3400 (3000) | 3200 (2900) | 4200 (3700) | 3100 (2800) |
0.01 NPLC | 數(shù)字I/O | 3650 (3200) | 3400 (3000) | 3000 (2700) | 2900 (2600) | 4150 (3650) | 3050 (2775) |
0.1 NPLC | 內(nèi)部 | 580 (490) | 560 (475) | 550 (465) | 550 (460) | 575 (480) | 545 (460) |
0.1 NPLC | 數(shù)字I/O | 560 (470) | 450 (460) | 545 (460) | 540 (450) | 570 (480) | 545 (460) |
1.0 NPLC | 內(nèi)部 | 59 (49) | 59 (49) | 59 (49) | 59 (49) | 59 (49) | 59 (49) |
1.0 NPLC | 數(shù)字I/O | 58 (48) | 58 (49) | 59 (49) | 59 (49) | 59 (49) | 59 (49) |
60Hz(50Hz)下大單測量速度(每秒操作次數(shù)):
A/D轉(zhuǎn)換器速度 | 觸發(fā)地 | 觸發(fā)地對GPIB進行測量 | 對GPIB進行源測量 | GPIB源測量 通過/故障 |
0.001 NPLC | 內(nèi)部 | 1900 (1800) | 1400 (1400) | 1400 (1400) |
0.01 NPLC | 內(nèi)部 | 1450 (1400) | 1200 (1100) | 1100 (1100) |
0.1 NPLC | 內(nèi)部 | 450 (390) | 425 (370) | 425 (375) |
1.0 NPLC | 內(nèi)部 | 58 (48) | 57 (48) | 57 (48) |
大量程改變速度:當量程>10μA時,典型值<150μs。當改變量程使得量程≥1A或者從≥1A量程變?yōu)槠渌砍虝r,大速度典型值<450μs。
大源量程改變速度:當量程>10μA時,典型值<2.5ms。當改變量程使得量程≥1A或者從≥1A量程變?yōu)槠渌砍虝r,大速度典型值<5.2ms。
大源函數(shù)改變速度:典型值<1ms。
命令處理時間:在收到smux .source .levelv 或smux .source .leveli 命令后,輸出開始變化所需的大時間典型值<1ms。
注
1. 在下列配置下利用2602B、2612B和 2636B對通道A進行測試:PC硬件(Pentium® 4 2.4GHz、512MB RAM、National InstrumentsPCI-GPIB)。驅(qū)動(NI-486.2 Version 2.2 PCI-GPIB)。軟件(Microsoft® Windows® 2000、Microsoft® Visual Studio 2005、VISA version 4.1)。
2. 除了電流量程小于1mA。
3. 2635B/2636B采用默認測量延遲,禁用濾波器
觸發(fā)與同步技術(shù)指標 1
觸發(fā):
觸發(fā)輸入到觸發(fā)輸出:0.5μs,典型值。
觸發(fā)輸入到源改變2:10μs,典型值。
觸發(fā)定時精度:±2μs,典型值。
LXI觸發(fā)之后源改變2:280μs,典型值。
同步:
單節(jié)點同步的源改變4:<0.5μs,典型值
多節(jié)點同步的源改變4:<0.5μs,典型值
注
1. TSP-Link不適用于2604B、2614B和 2634B。
2. 固定源改變,沒有極性變化。
適用于2601B, 2602B, 2604B, 2611B, 2612B, 2614B, 2634B, 2635B和2636B。
補充說明
面板界面:雙線真空熒光顯示器(VFD),帶小鍵盤和旋轉(zhuǎn)按鈕。
顯示:
小鍵盤操作:
編程:可從任意主機接口訪問嵌入式測試腳本處理器(TSP)。響應各條儀器控制
命令。響應由儀器控制命令和測試腳本語言(TSL)語句(例如分支、循環(huán)、數(shù)學)組成的高速測試腳本。無需主機干預,能夠執(zhí)行存儲在存儲器中的高速測試腳本。
小可用存儲容量:16MB(約250000行TSL代碼)。
Test Script Builder:用于構(gòu)建、執(zhí)行和管理TSP腳本的集成開發(fā)環(huán)境。包括一個儀器控制臺,能夠通過交互式方式與任意支持TSP功能的儀器通信。需要:
軟件接口:TSP Express (嵌入式)、Direct GPIB/VISA、READ/WRITE,利用VB、VC/C++、LabVIEW、LabWindows/CVI等讀寫
讀數(shù)緩沖器:為測量數(shù)據(jù)留有存儲區(qū)域。讀數(shù)緩沖器是測量單元陣列。每個單元可以包含以下幾項:
每個數(shù)字源表通道保留兩個讀緩沖器??赏ㄟ^面板的STORE鍵填充讀緩沖器,通過RECALL鍵或主機接口進行檢索。
緩沖器大小,帶時標和源設(shè)置:>60000個樣本
緩沖器大小,不帶時標和源設(shè)置:>140000個樣本
系統(tǒng)擴展:通過TSP-Link擴展接口,所有支持TSP功能的儀器都可以相互觸發(fā)和通信。如下圖所示:
每臺數(shù)字源表具有兩個TSP-Link接頭,以便于將儀器鏈接在一起。
定時器:帶1MHz輸入時鐘自由計數(shù)的47位計數(shù)器。每次儀器加電時復位。每隔4年循環(huán)一次。
時標:當觸發(fā)每個儀器時,TIMER值自動保存。
分辨率:1μs
精度:±100ppm