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泰克4200A-SCS參數(shù)分析儀

產(chǎn)品簡介

泰克4200A-SCS參數(shù)分析儀
大膽發(fā)現(xiàn)從未如此容易。 4200A-SCS 參數(shù)分析儀可將檢定和測試設置的復雜程度降低高達 50%,提供清晰且不折不扣的測量和分析功能。 另外,嵌入式測量專業(yè)知識可提供測試指南并讓您對結果充滿信心。
特點
內(nèi)置測量視頻采用英語、中文、日語和韓語
使用數(shù)百個用戶可修改應用測試開始您的測試
自動實時參數(shù)提取、數(shù)據(jù)繪圖、算數(shù)函數(shù)

產(chǎn)品型號:4200A-SCS
更新時間:2023-07-19
廠商性質:代理商
訪問量:965
詳細介紹在線留言
品牌泰克產(chǎn)地類別進口
應用領域電子

泰克4200A-SCS參數(shù)分析儀

主要性能指標

I-V 源測量單元(SMU)

  • ± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模塊
  • 100 fA測量分辨率
  • 選配前端放大器提供了 10 aA測量分辨率
  • 10 mHz - 10 Hz 超低頻率電容測量
  • 四象限操作
  • 2 線或 4 線連接

C-V 多頻率電容單元(CVU)

  • AC 阻抗測量 (C-V, C-f, C-t)
  • 1 kHz - 10 MHz 頻率范圍
  • ± 30 V (60 V差分)內(nèi)置DC偏置源,可以擴展到± 210 V(420 V 差分)
  • 選配 CVIV 多通道開關,在 I-V 測量和 C-V 測量之間簡便切換脈沖式I-V 超快速脈沖測量單元(PMU)
  • 兩個獨立的或同步的高速脈沖 I-V 源和測量通道
  • 200 MSa/s,5 ns 采樣率
  • ±40 V (80 V p-p),±800 mA
  • 瞬態(tài)波形捕獲模式
  • 任意波形發(fā)生器 Segment ARB® 模式,支持多電平脈沖波形,10 ns 可編程分辨率

高壓脈沖發(fā)生器單元(PGU)

  • 兩個高速脈沖電壓源通道
  • ±40 V (80 V p-p),± 800 mA
  • 任意波形發(fā)生器 Segment ARB®模式,支持多電平脈沖波形,10 ns 可編程分辨率I-V/C-V 多通道開關模塊 (CVIV)
  • 在 I-V測量和 C-V 測量之間簡便切換,無需重新布線或抬起探針
  • 把 C-V測量移動到任意端子,無需重新布線或抬起探針遠程前端放大器/ 開關模塊(RPM)
  • 在 I-V 測量、C-V 測量和超快速脈沖 I-V 測量之間自動切換
  • 把 4225-PMU的電流靈敏度擴展到數(shù)十皮安
  • 降低電纜電容效應

為材料、半導體器件和工藝開發(fā)提供*秀的參數(shù)分析儀

使用強大的Clarius 軟件,可以更加快速的完成I-V, C-V 和脈沖I-V 測試,結果清晰明了

泰克4200A-SCS參數(shù)分析儀

 

4200A-SCS 儀器和模塊

型號說明主要測量范圍測量分辨率
  4200-SMU  中等功率源測量單元  DC I-V
超低頻率 C-V
準靜態(tài) C-V
  ±100 mA, ±210 V  0.2 mV, 100 fA
4210-SMU高功率源測量單元±1 A, ±210 V0.2 mV, 100 fA
4200-PA遠程前端放大器模塊擴展所有 SMU 的電流范圍0.2 mV, 10 aA
   1 kHz - 10 MHz 
4210-CVU電容電壓單元AC 阻抗
C-V, C-f, C-t
±30 V 內(nèi)置DC 偏置裝置(60 V 差分)
使用 SMU 擴展直流偏置電壓至
-
   ±210V 
4200A-CVIVI-V/C-V 多通道
開關模塊
DC I-V 和 C-V 自動切換--
  脈沖式 I-V
SegmentARBR® 多電平脈沖
瞬態(tài)波形捕獲
±40 V (80 V p-p), ±800 mA
200 MSa/s 同時測量電流和電壓
 
4225-PMU超快速脈沖測量單元2048 個唯yi段75 nA
  20 ns 脈寬僅輸出時 
  60 ns 脈寬輸出同時測流時 
4225-RPM遠程前段放大器 /
開關模塊
DC I-V、C-V、脈沖式 I-V
間自動切換
擴展 4225-PMU 單元的電流范圍200 pA
4220-PGU高壓脈沖發(fā)生器單元脈沖式電壓源
Segment ARB® 多電平脈沖
±40 V (80 Vp-p)
2048 個唯yi段
-
接地單元內(nèi)置低噪聲接地單元-三同軸連接 : 2.6 A
接線柱 : 9.5 A
-

 

典型應用

MOSFET, BJT 晶體管
材料特性分析
非易失性存儲設備
電阻率系數(shù)和霍爾效應測量
NBTI/PBTI
III-V 族器件
失效分析
納米器件
二極管和pn 聯(lián)結
太陽能電池
傳感器
MEMS 器件
電化學
LED 和OLED

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